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运动控制

东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率

  2020年03月30日  

  东芝电子元件及存储装置株式会社("东芝")今日宣布,其"U-MOS X-H系列"产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

U-MOS X-H系列产品示意图

  新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的"TPH2R408QM"以及采用TSON Advance封装的"TPN19008QM"。产品于今日开始出货。

  由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

  东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

应用:
  ●开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
  ●电机控制设备(电机驱动等)

特性:
  ●业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)
  ●业界最低[3]导通电阻:
    RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
    RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
  ●高额定通道温度:Tch=175℃

主要规格:

(除非另有说明,@Ta25

器件型号

绝对

最大

额定值

漏源电压VDSSV

80

80

漏极电流(DCIDA

@Tc=25

120

34

通道温度Tch(℃)

175

175

电气

特性

漏源导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ

@VGS=10V

2.43

19

@VGS=6V

3.5

28

总栅极电荷(栅源+栅漏)

Qg典型值(nC

87

16

栅极开关电荷Qsw典型值(nC

28

5.5

输出电荷Qoss典型值(nC

90

16.5

输入电容Ciss典型值(pF

5870

1020

封装

名称

SOP Advance

TSON Advance

尺寸典型值(mm

5。0×6.0

3.3×3.3

库存查询与购买

 
注释:
  [1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。
  [2] 与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。
  [3] 截至2019年3月30日,东芝调研。

标签:东芝我要反馈
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